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標題: 高駐波與高反射功率之傷機問題? [打印本頁]

作者: BU2CK 時間: 2014-1-22 11:49
標題: 高駐波與高反射功率之傷機問題?
本帖最後由 BU2CK 於 2014-1-22 11:51 編輯

如果, 以高駐波與高反射功率之傷機問題來討論....

情況一:
以50W發射, 若駐波為1.5, 其反射率為3.95%, 也就是說會有1.975W的反射功率.

情況二:
以5W發射, 若駐波為2.5, 其反射率為18.30%, 也就是說會有0.915W的反射功率.

若先不考慮天線收發效率之好壞, 以上二種情況是否是情況二比較不傷機子?
或者對其天線或饋線有不良影響?
不知各位OM大大, 有何看法? 謝謝.

作者: WSUgocouars 時間: 2014-1-22 11:57
其實反射功率終究會在機器內部以熱能呈現. 所以若熱沒超過機器內部相關放大電路元件的忍受溫度 (在typical), 我不覺得會有差到哪裡. 若是一直在Max. 邊緣, 那就可靠度有機會降低.

作者: jameswade 時間: 2014-1-22 13:54
當把電能轉換成高頻電波時，不可能百分之百的轉換，就跟電源轉換效率一樣，根據能量不滅定律，所有轉換過程所產生能量的損耗，都會變成熱能．．．
所以．．．發射的時候，機子會發燙啦。

作者: spp_1967 時間: 2014-1-22 19:03
當然2會比較不傷機器ˋ一般天線系統發生問題ˋ一時無法修復卻必須發射時ˋ就是用減低功率發射ˋ或是以減少發射時間拉大間隔的方法來降低反射波產生的熱度ˋ以減少損害機器的機率

作者: milblock 時間: 2014-1-22 19:49
以熱模式燒毀是原因之一，燒晶體端或是燒斷金線端都有可能，突然的大電流，金線類似保險絲，過大電流產生熱後燒斷Bonder金線，如果金線耐電流有可能是燒燬晶體。

作者: jameswade 時間: 2014-1-22 22:09
現在新的製程都不用金線bonding wire方式封裝了，所以採用新製程做的功率晶體在長期高熱下只會發生熱遷移...
也就是與錫球接觸PCB的地方....爆裂, 以前無鉛製程初期的錫球因為chip熱爆裂的現象已不復見(補錫球就好)
所以呢以後全新環保製程chip用在新機上，維修成本和門檻會大幅提高，功率晶體燒壞大多只能送回原廠
而代理商是否會購買焊接設備也是一個問題...

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